Содержание

Камчыбеков М.П.1, Мураталиев Н. 2, Егембердиева К.А. 1,Камчыбеков Ы.П. 1, Кынатова З.Р.1
Институт сейсмологии НАН КР Бишкек, Кыргызстан
Кыргызский государственный университет строительства, транспорта и архитектуры, г. Бишкек, Кыргызстан

УТОЧНЕНИЕ СЕЙСМИЧНОСТИ СТРОИТЕЛЬНОЙ ПЛОЩАДКИ ПОД ВЫСОТНОЕ ЖИЛОЕ ЗДАНИЕ

Развитие возведения высотных жилых зданий требует отдельного подхода в зависимости от инженерно-геологических условий при сейсмическом микрорайонировании данной площадки. Строительство в подземной части высотных зданий часто бывают расположены не только инженерные сектора, но и большие помещения, которые будут служить в качестве офисов бизнеса и технических центров. В связи с этим, фундамент здания уходит на большую глубину. При сейсмическом микрорайонировании может быть определено влияние грунтовых условий на уровне упирания фундамента здания.

КӨП КАБАТТУУ ТУРАК ИМАРАТЫНЫН АСТЫНДАГЫ КУРУЛУШ АЯНТЧАСЫНЫН СЕЙСМИКАЛУУЛУГУН ТАКТОО

Курулуш аянтчанын инженердик-геологиялык шартына жараша сейсмикалык кичирайондоштурууга көп кабаттуу турак имараттарын курулуш өнүгүүсү жекече мамилени талап кылат. Көп кабаттуу имараттын жер астындагы бөлүмүндө инженердик секторлор гана эмес, ал жерде чоӊ бөлмөлөр бизнес жана техникалык борбор катары кызмат кылат. Ошондуктан курулуш пайдубалы көп тереңдетилет. Курулуш пайдубалынын отурган жериндеги жер кыртыш шарттарынын негизинде сейсмикалык кичирайондоштуруу аныкталышы мүмкүн.

SEISMIC ACCURACY ON LOCAL SITE GEOLOGY FOR HIGH RISE RESIDENTIAL BUILDINGS

The development of high-rise residential buildings requires a separate approach depending on the engineering and geological conditions of the site for seismic microzoning. In the underground part of high-rise buildings are located not only the engineering sectors, but also large premises that will serve as a business and technical centers. In this connection the building’s foundation would be deepen. The influence of soil conditions in seismic microzoning can be determined at the level of abutment of the building foundation.